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       5月28-29日在北京參加集成電路電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)工作組會(huì)議(第一次會(huì)議)。工作組下屬于全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)集成電路分技術(shù)委員會(huì)（SAC/TC78/SC2）。

       工作組組長(zhǎng)崔強(qiáng)，副組長(zhǎng)方文嘯（廣州賽寶），副組長(zhǎng)吳建飛（天津?yàn)I海軍民融合研究院）。會(huì)議主要探討了集成電路電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)國(guó)內(nèi)現(xiàn)狀及國(guó)際最新進(jìn)展以及測(cè)試技術(shù)，特別提到標(biāo)準(zhǔn)中可能會(huì)取消近場(chǎng)掃描法。工作組期望制定一個(gè)推薦標(biāo)準(zhǔn)，為芯片制造商在芯片設(shè)計(jì)制造中提供對(duì)芯片進(jìn)行電磁兼容測(cè)試方法，并不要求測(cè)試等級(jí)和判定等級(jí)。芯片廠商和芯片使用方對(duì)芯片的電磁兼容測(cè)試并不是完全的支持，更在意芯片在電路中的電磁兼容性，而不是僅僅局限于芯片自身（可能更關(guān)心芯片的材料、熱學(xué)、力學(xué)、化學(xué)、電學(xué)等）。

       會(huì)議期間，工作組討論了 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T XXXXX.1《集成電路電磁發(fā)射測(cè)量第1部分：通用條件和定義》（工作組討論稿）和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T XXXXX.1 《集成電路電磁抗擾度測(cè)量第1部分：通用條件和定義》（工作組討論稿）。